K4A4G165WG-BCWE vs MT40A512M16TD-062E AUT:R Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G165WG-BCWE par Samsung Electronics et MT40A512M16TD-062E AUT:R par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4A4G165WG-BCWE K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE ✓ Actif
Micron Technology
MT40A512M16TD-062E AUT:R MT40A512M16TD-062E AUT:R - 8Gbit DDR4 SDRAM | Micron

MT40A512M16TD-062E AUT:R - 8Gbit DDR4 SDRAM | Micron

MT40A512M16TD-062E AUT:R ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4A4G165WG-BCWE MT40A512M16TD-062E AUT:R
Marque Samsung Electronics Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $16,90 $3,90
Type de mémoire DDR4 SDRAM (volatile DRAM) DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 4 Gbit 8 Gbit
Memory Organization 256M x 16 —
Interface Parallel Parallel
Débit de données 3200 Mbps —
Access Time 19 ns 19 ns
Tension d'alimentation 1.2 V 1.2 V
Température de fonctionnement 0C to +85C —
Boîtier FBGA-96 96-FBGA (7.5 x 13 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Memory Format DRAM —
Technology DDR4 —
Product Status Active —
Statut RoHS Compliant (per JLCPCB listing) —
Clock Frequency [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] —
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh interval] [DATA_NEEDED: refresh interval spec]
Organisation de la mémoire — 512M x 16
Clock Frequency / Data Rate — 1.6 GHz
Automotive Qualification — AEC-Q100 (AUT grade)
Packaging Suffix — -R (Tape & Reel)
Speed Grade — -062E
Technology Family — DDR4 SDRAM (SDR/DDR family)
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

Fiches techniques et ressources

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